Корпорации Sony и Toshiba представили новую технологию изготовления кремниевыхкристаллов высокой степени интеграции. Таким образом, по словам представителейкомпании, стал доступным для производства 65-нанометровый процесс CMOS, который,как ожидается, будет применяться при изготовлении DRAM-памяти.
Как заявили разработчики, им удалось создать первый опытный образец кристаллавысокой интеграции (LSI – Large Scale Integration), представляющий собой модульпамяти емкостью 1 Мб.
Размер ячейки новой памяти DRAM составляет 11пм кв. (1,1*10-13 м). Специалистыполагают, что на сегодняшний день такая ячейка является наиболее миниатюрнойиз всех представленных – на площади 490 мм кв. можно уместить 256 Мб памяти.
Кроме этого, благодаря использованию специальной конденсаторной структуры сталовозможно значительно уменьшить массу устройства. При этом скорость переключенияотдельного транзистора составляет 0,72 (для n-канального транзистора) и 1,41(для p-канального транзистора) пикосекунды, а рабочее напряжение – 0,85 В.
Масштабное использование новой технологии ожидается в конце марта 2004 года.
Что касается коммерциализации процесса – скорее всего, применение подобных кристалловначнется при производстве различных систем, связанных с беспроводной передачейинформации, где требуется высокая производительность вкупе с низким энергопотреблением.